IRLML2402TRPBF INFINEON MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl
IRLML2402TRPBF產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格
高度 1.02mm
晶體管材料 Si
類別 功率 MOSFET
長度 3.04mm
典型輸入電容值@Vds 110 pF@ 15 V
通道模式 增強(qiáng)
安裝類型 表面貼裝
每片芯片元件數(shù)目 1
最大漏源電阻值 250 mΩ
通道類型 N
Board Level Components Y
最高工作溫度 +150 °C
最大柵閾值電壓 0.7V
最低工作溫度 -55 °C
最大功率耗散 540 mW
最大柵源電壓 ±12 V
寬度 1.4mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最小柵閾值電壓 0.7V
最大漏源電壓 20 V
典型接通延遲時間 2.5 ns
典型關(guān)斷延遲時間 9.7 ns
封裝類型 SOT-23
最大連續(xù)漏極電流 1.2 A
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
典型柵極電荷@Vgs 2.6 nC @ 4.5 V
工廠包裝數(shù)量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
晶體管極性 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 0.7 V
Qg - Gate Charge 2.6 nC
封裝/外殼 SOT-23-3
下降時間 4.8 ns
封裝 Reel
產(chǎn)品 MOSFET Small Signal
品牌 Infineon / IR
通道數(shù) 1 Channel
配置 Single
最高工作溫度 + 150 C
晶體管類型 1 N-Channel
正向跨導(dǎo) - 閔 1.3 S
Id - Continuous Drain Current 1.2 A
長度 2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 250 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型關(guān)閉延遲時間 9.7 ns
身高 1.1 mm
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
典型導(dǎo)通延遲時間 2.5 ns
最低工作溫度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 540 mW
上升時間 9.5 ns
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主營產(chǎn)品:ESD靜電二極管、TVS二極管、電池充電和管理電源、MOS管、LDO低功耗穩(wěn)壓管。
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美國人真的是喜歡打官司，而官司拖得時間長也是司空見慣了，這不一個集體訴訟始于2013年，針對的是iPhone 4 ，4s ，5 的電源鍵問題的。這個集體訴訟要在2019年10月25日圣地亞哥開庭了。這個集體訴訟主要針對4 ，4s ，5機(jī)器的電源鍵與靜音按鍵設(shè)計(jì)問題與保修問題展開的。
雖然蘋果在2014年4月已經(jīng)開始了iPhone 5 的質(zhì)量計(jì)劃，但是并沒有影響集體訴訟的進(jìn)程。
當(dāng)年也關(guān)注了這個集體訴訟，而且最近兩天也收到了相關(guān)的郵件。不知道會不會出現(xiàn)，手機(jī)都找不到了最后還能賠錢的事兒出現(xiàn)。
