SIS862DN-T1-GE3原裝現(xiàn)貨支持實單

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產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: ?詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導通電阻: 7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 32 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 52 W

通道模式: Enhancement

商標名: TrenchFET, PowerPAK

系列: SIS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降時間: 5 ns

正向跨導 - 最小值: 60 S

高度: 1.04 mm

長度: 3.3 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 12 ns

寬度: 3.3 mm

單位重量: 1 g

公司成立2008年，擁有15年供貨經(jīng)驗，主營ALTERA XILINX

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