FGY160T65SPD-F085

發(fā)布企業(yè)：深圳誠思涵科技有限公司時間：2023-4-4 16:21:00

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FGY160T65SPD-F085 進口原裝，公司現(xiàn)貨

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.6 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, + 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 240 A

Pd-功率耗散: 882 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: FGY160T65S_F085

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標: onsemi / Fairchild

柵極—射極漏泄電流: +/- 250 nA

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors

子類別: IGBTs

零件號別名: FGY160T65SPD_F085

單位重量: 6.100 g

型號查詢	功能描述	生產(chǎn)廠家&企業(yè)	LOGO	操作
FGY160T65SPD-F085	IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

FGY160T65SPD-F085現(xiàn)貨更多...

2025-9-20 14:01:00

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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