制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 13.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 26 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 48 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: TrenchFET

系列: SQ

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標(biāo): Vishay / Siliconix

配置: Dual

下降時(shí)間: 7 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S

高度: 1.04 mm

長度: 6.15 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 10 ns

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 2 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.5 ns

寬度: 5.13 mm

單位重量: 506.600 mg