製造商: Texas Instruments

產(chǎn)品類型: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)資料

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝/外殼: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù): 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V

Id - C連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On - 漏-源電阻: 6.9 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.9 V

Qg - 閘極充電: 28 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 160 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: NexFET

系列: CSD18533KCS

封裝: Tube

品牌: Texas Instruments

配置: Single

下降時(shí)間: 3.2 ns

互導(dǎo) - 最小值: 150 S

高度: 16.51 mm

長(zhǎng)度: 10.67 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4.8 ns

原廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 13 ns

標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 5.7 ns

寬度: 4.7 mm

每件重量: 2 g