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啟動(dòng)電容建議選用電解電容（供電）和SMD 陶瓷電容（高頻濾波）并聯(lián)配套使用，啟動(dòng)電容可選2.2~10uF 的電容，SMD 陶瓷選用100nF。

U74HC14芯片采用的是DIP-14、SOP-14以及TSSOP-14三種方式進(jìn)行封裝包裹。

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U74AUP1G07G-SOT353R-TG

（1）主要選型參數(shù)：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續(xù)漏電流，RDS(on) 導(dǎo)通電阻，Ciss 輸入電容（結(jié)電容），品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron *_Qg等。（2）根據(jù)不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi)； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)； SJ MOS：超結(jié)MOS，主要在高壓領(lǐng)域 600-800V；。

待機(jī)時(shí)輔助線圈對(duì)VCC 電容充電電流較小，IC 靜態(tài)功耗沒(méi)有太大變化，因此導(dǎo)致待機(jī)進(jìn)入burst mode 后，VCC 電容電壓會(huì)在OFF time 中容易觸碰VCCMIN，發(fā)生VCC自動(dòng)重啟誤動(dòng)作。

半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今 ，先后經(jīng)歷了三代材料的變更程 ，截至目前 ，功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導(dǎo)體材料 。

LR1148G-SC59.5R-AD-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATGQ LD2117AG-SOT223R-AD-ATG 2SD669AL-TO252R-D-TG UG9KG-SOT363R-TG 。

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建議VCC 腳位旁邊并聯(lián)一個(gè)高頻濾波電容（例如100nF MLCC），增加IC 工作穩(wěn)定性，避免高頻干擾。

UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。

MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。

88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。

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電路初級(jí)側(cè)主回路由C1 正端變壓器MOSFET R14、R15 C1 地端，此為電路中大開(kāi)關(guān)干擾源，此回路元器件盡量靠近以縮短路徑線長(zhǎng)及回路面積，并遠(yuǎn)離小信號(hào)回路以及UCS165XS 本體，且接地1 之間的連接線路需要保持最短并且寬原則。

IIoT背后的理念是通過(guò)數(shù)字化整個(gè)工業(yè)運(yùn)營(yíng)鏈來(lái)提高生產(chǎn)率，并基于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)建立洞察力。新的技術(shù)能力也有助于制造商從對(duì)工廠自動(dòng)化設(shè)備的投入中獲得更多的價(jià)值。

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