類別

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

單 FET，MOSFET

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

包裝

管件

Product Status

在售

FET 類型

N 通道

技術(shù)

SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）

1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

72A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

39 毫歐 @ 27A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

5.6V @ 13.3mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

131 nC @ 18 V

Vgs（最大值）

+22V，-4V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

2222 pF @ 800 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

339W（Tc）

工作溫度

175°C（TJ）

安裝類型

通孔

供應(yīng)商器件封裝

TO-247N

封裝/外殼

TO-247-3

基本產(chǎn)品編號(hào)

SCT3030