BSC060P03NS3EGATMA1
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）Product Status
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
17.7A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
6 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
6020 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TDSON-8-1
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號(hào)
BSC060
BTS716G
TLE4241GM
BSZ084N08NS5
TLE42754G
IPT039N15N5
