制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊

RoHS: 詳細(xì)信息

產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V

集電極—射極飽和電壓: 2.1 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 450 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 1600 W

封裝 / 箱體: 62 mm

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

封裝: Tray

商標(biāo): Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

安裝風(fēng)格: Chassis Mount

產(chǎn)品類型: IGBT Modules

系列: Trench/Fieldstop IGBT4 - T4

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子類別: IGBTs

技術(shù): Si

零件號(hào)別名: SP000370607 FF300R12KT4HOSA1

單位重量: 335 g