制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.75 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 370 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1950 W
封裝 / 箱體: 62 mm
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
商標(biāo): Infineon Technologies
高度: 30.9 mm
長度: 106.4 mm
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
系列: IGBT2 Fast
10
子類別: IGBTs
技術(shù): Si
寬度: 61.4 mm
零件號別名: SP000100774 FF30