制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PTAB-5

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16.3 mOhms， 7.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V， + 8 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V， 1 V

Qg-柵極電荷: 3.9 nC， 8.9 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 4 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Texas Instruments

配置: Dual

開發(fā)套件: CSD87381PEVM-603

下降時間: 3 ns， 2.9 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 40 S， 89 S

高度: 0.48 mm

長度: 3 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 19.3 ns， 16.3 ns

系列: CSD87381P

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 2 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 10.6 ns， 16.8 ns

典型接通延遲時間: 6.7 ns， 7.9 ns

寬度: 2.5 mm

單位重量: 33.200 mg