BYP32058_FDS6990AS-NL導(dǎo)讀

假定導(dǎo)電溝道的載流子是電子，則稱為N溝道；假定載流子是空穴，則稱為P溝道。根據(jù)導(dǎo)電溝道的載流子能夠劃分為N溝道和P溝道。MOS管是一種單極性載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。

功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，從二極管、三極管到場(chǎng)效應(yīng)管，都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。根據(jù)不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為增強(qiáng)型、耗盡型——。

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BYN4286

功率MOSFET普通很少選用P溝道，由于空穴的遷移率比電子的遷移率低，相同的溝道尺寸，P溝道的晶體管比N溝道的導(dǎo)通電阻大。 。依照導(dǎo)電溝道和溝道構(gòu)成的過程兩點(diǎn)來分類，MOS管能夠分為：P溝增強(qiáng)型MOS管、P溝耗盡型MOS管、N溝增強(qiáng)型MOS管和N溝耗盡型MOS管。圖四類MOSFET和它們的圖形符號(hào)。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。

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DMN4031SSD-13

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。

圖中MOSFET的結(jié)構(gòu)是不合適運(yùn)用在大功率的場(chǎng)所，緣由是兩個(gè)方面的。一方面是結(jié)構(gòu)上小功率MOSFET三個(gè)電極在一個(gè)平面上，溝道不能做得很短，溝道電阻大。另一方面是導(dǎo)電溝道是由外表感應(yīng)電荷構(gòu)成的，溝道電流是外表電流，要加大電流容量，就要加大芯片面積，這樣的結(jié)構(gòu)要做到很大的電流可能性也很小。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

BYP32058_FDS6990AS-NL

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

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