制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 1.57 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 141 A
Pd-功率耗散: 543 W
系列: Discrete IGBT
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 141 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: IGBTs
零件號別名: AUIRGDC0250 SP001511678
單位重量: 6 g