NCE1502R_NCEP0160A導(dǎo)讀

它們的各種開關(guān)動作幾乎是一致，當(dāng)然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。

根據(jù)不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為增強型、耗盡型——。功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，從二極管、三極管到場效應(yīng)管，都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。

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NCE40H20A

Felix Zandman在他的回憶錄中寫道，“很多人認(rèn)為這個名稱聽上去很古怪，但是對于我來說，每次聽到它，我就會想起我的外婆，想起她賦予我和其他人的力量，想起東歐那些被永遠(yuǎn)抹去的猶太社區(qū)。為什么Felix Zandman將他的公司命名為Vishay？因為他的外婆出生在Vishay，這是一個立陶宛小村莊的名字，以紀(jì)念在大屠殺中喪生的家族成員。” 。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

該三個電容參數(shù)具體到管子的本體中，分別代表什么？是如何形成的？。MOS管規(guī)格書中有三個寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。

原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。

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NCE60P35

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

NCE1502R_NCEP0160A

NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。

而在鋰電池保護(hù)板中重要的就是保護(hù)芯片和MOS管。

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