SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY 30 V 0.19 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3
SI2303CDS-T1-GE3產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特點(diǎn) Standard
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 2.7A
Rds（最大）@ ID，VGS 190 mOhm @ 1.9A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 155pF @ 15V
功率 - 最大 2.3W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3SOT-23
渠道類型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 30 V
最大連續(xù)漏極電流 1.9 A
RDS -于 190@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 36 ns
典型上升時(shí)間 37 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 12 ns
典型下降時(shí)間 9 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
產(chǎn)品種類 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶體管極性 P-Channel
漏源擊穿電壓 30 V
源極擊穿電壓 +/- 20 V
連續(xù)漏極電流 1.9 A
抗漏源極RDS （ ON） 0.19 Ohms
配置 Single
最高工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝/外殼 SOT-23-3
封裝 Reel
下降時(shí)間 37 ns
最低工作溫度 - 55 C
功率耗散 1 W
上升時(shí)間 37 ns
工廠包裝數(shù)量 3000
零件號(hào)別名 SI2303CDS-GE3
最大門源電壓 ±20
包裝寬度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1000
最大漏源電壓 30
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 190@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
最低工作溫度 -55
供應(yīng)商封裝形式 SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-23
最高工作溫度 150
包裝長(zhǎng)度 3.04(Max)
引腳數(shù) 3
包裝高度 1.02(Max)
最大連續(xù)漏極電流 1.9
鉛形狀 Gull-wing
P（ TOT ） 2.3W
匹配代碼 SI2303CDS
單位包 3000
標(biāo)準(zhǔn)的提前期 15 weeks
最小起訂量 3000
極化 P-CHANNEL
無鉛Defin RoHS-conform
我（D ） 2.7A
V（ DS ） 30V
R（ DS上） 0.158Ohm
FET特點(diǎn) Standard
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 2.7A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 190 mOhm @ 1.9A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 2.3W
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 155pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 8nC @ 10V
封裝/外殼 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 SI2303CDS-T1-GE3CT
類別 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
長(zhǎng)度 3.04mm
最大漏源電阻 0.19 Ω
最大功率耗散 1 W
包裝類型 SOT-23
典型柵極電荷@ VGS 2 nC V @ 4.5， 4 nC V @ 10
典型輸入電容@ VDS 155 pF V @ 15
寬度 1.4mm
RDS（ON） 190 mOhms
柵源電壓（最大值） ?20 V
漏源導(dǎo)通電阻 0.19 ohm
工作溫度范圍 -55C to 150C
極性 P
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏源導(dǎo)通電壓 30 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-2.7A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.158ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-3V
功耗 :1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :-1.9A
工作溫度范圍 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :-20V
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412900
associated D00840
MC33260
3209885-M
SI2303CDS-T1-GE3
