IRFP32N50KPBF
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 32 A
Rds On-漏源導通電阻: 160 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V， + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 190 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 460 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
系列: IRFP
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.31 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 14 S
下降時間: 54 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 120 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 48 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
單位重量: 4.600 g
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