零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 OptiMOS??
規(guī)格
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 50A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 12.6 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 85μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 3670pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 58W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3-313
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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