數(shù)據(jù)列表 IPT012N08N5;_
標準包裝 2，000
包裝 標準卷帶
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
系列 OptiMOS?
其它名稱 IPT012N08N5ATMA1TR
SP001227054
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 300A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 1.2 毫歐 @ 150A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 280μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 223nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 17000pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-HSOF-8-1
封裝/外殼 8-PowerSFN
