SI2302CDS-T1-GE3產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格
規(guī)格書(shū) SI2302CDS-T1-GE3
Rohs Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 20V
電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C 2.6A
Rds(最大)@ ID,VGS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 850mV @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 5.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 710mW
安裝類(lèi)型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 20 V
最大連續(xù)漏極電流 2.6 A
RDS -于 57@4.5V mOhm
最大門(mén)源電壓 ±8 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 8 ns
典型上升時(shí)間 7 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 30 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
產(chǎn)品種類(lèi) MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶體管極性 N-Channel
漏源擊穿電壓 20 V
源極擊穿電壓 +/- 8 V
連續(xù)漏極電流 2.6 A
抗漏源極RDS ( ON) 0.057 Ohms
配置 Single
最高工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝/外殼 SOT-23-3
封裝 Reel
下降時(shí)間 7 ns
最低工作溫度 - 55 C
功率耗散 710 mW
上升時(shí)間 7 ns
工廠包裝數(shù)量 3000
零件號(hào)別名 SI2302CDS-GE3
最大門(mén)源電壓 ±8
包裝寬度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 710
最大漏源電壓 20
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 57@4.5V
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
最低工作溫度 -55
供應(yīng)商封裝形式 SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱(chēng) SOT-23
最高工作溫度 150
渠道類(lèi)型 N
包裝長(zhǎng)度 3.04(Max)
引腳數(shù) 3
包裝高度 1.02(Max)
最大連續(xù)漏極電流 2.6
鉛形狀 Gull-wing
P( TOT ) 0.71W
匹配代碼 SI2302CDS
單位包 3000
標(biāo)準(zhǔn)的提前期 15 weeks
最小起訂量 3000
極化 N-CHANNEL
無(wú)鉛Defin RoHS-conform
我(D ) 2.6A
V( DS ) 20V
R( DS上) 0.075Ohm
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
安裝類(lèi)型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 850mV @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 710mW
漏極至源極電壓(Vdss) 20V
閘電荷(Qg ) @ VGS 5.5nC @ 4.5V
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱(chēng) SI2302CDS-T1-GE3CT
類(lèi)別 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
長(zhǎng)度 3.04mm
最大漏源電阻 0.057 Ω
最大功率耗散 0.71 W
包裝類(lèi)型 SOT-23
典型柵極電荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5
寬度 1.4mm
RDS(ON) 57 mOhms
漏極電流(最大值) 2.6 A
頻率(最大) Not Required MHz
柵源電壓(最大值) ?8 V
輸出功率(最大) Not Required W
噪聲系數(shù) Not Required dB
漏源導(dǎo)通電阻 0.057 ohm
工作溫度范圍 -55C to 150C
極性 N
類(lèi)型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類(lèi) Military
漏極效率 Not Required %_
漏源導(dǎo)通電壓 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :2.9A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :57mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :8V
Threshold Voltage Vgs :850mV
功耗 :710mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :2.9A
Junction Temperature Tj Max :150°C
工作溫度范圍 :-55°C to +150°C
端接類(lèi)型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :850mV
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Voltage Vgs th Max :0.85V
Voltage Vgs th Min :0.4V
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412900
associated SI2302CDS-T1-GE3
EYGA091203SM
天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤發(fā)布的最新蘋(píng)果研究報(bào)告指出,蘋(píng)果iPhone組裝復(fù)工須至2020年第二季度才會(huì)顯著改善。
報(bào)告表示,玉晶光2019年下半年獨(dú)家供貨iPhone 11系列的高單價(jià)超廣角鏡頭,因iPhone組裝復(fù)工須至2020年第二季度才會(huì)顯著改善,玉晶光2月與3月的鏡頭出貨量顯著滑落。
報(bào)告指出,蘋(píng)果2020年下半年推出的iPhone,將采用維持相同設(shè)計(jì)的超廣角鏡頭,并且為了改善產(chǎn)能利用率,有望改變目前獨(dú)家供應(yīng)的局面。
IT之家此前曾報(bào)道,郭明錤表示,如果疫情能在3月顯著改善,預(yù)計(jì)2020年下半年新款iPhone系列今年出貨量約為8000萬(wàn)部。
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