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吉林華微電子股份有限公司是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體的國家級高新技術(shù)企業(yè)，公司經(jīng)科技部、中科院等國家機(jī)構(gòu)認(rèn)證，被列為國家博士后科研工作站、國家創(chuàng)新型企業(yè)、國家企業(yè)技術(shù)中心、國家知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)、國家級綠色工廠、CNAS國家認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室。

公司總資產(chǎn)近67億元，員工2300余人，科技人員占公司總?cè)藬?shù)的30%以上，占地面積40萬平方米，建筑面積13.5萬平方米，凈化面積17000平方米，主要凈化級別為0.3微米百級。公司于 2001年3月在上海證券交易所上市，股票代碼600360，總股本960,295,304股，為國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首家上市公司（主板A股）。

華微電子緊隨市場發(fā)展，將積累多年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)厚積薄發(fā)，引領(lǐng)技術(shù)前沿，開拓新興領(lǐng)域。公司擁有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年400萬片，封裝資源為每年24億只，模塊每年6000萬塊。公司在終端設(shè)計(jì)、工藝制造和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有多項(xiàng)專利，各系列產(chǎn)品采用IGBT、MOS、雙極技術(shù)及集成電路等核心制造技術(shù)，其中IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設(shè)計(jì)技術(shù)等國內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國際同行業(yè)先進(jìn)水平。公司主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，目前已形成以IPM和PM模塊、寬禁帶半導(dǎo)體、IGBT、MOS、FRD、SBD、SCR及 BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品，產(chǎn)品種類基本覆蓋功率半導(dǎo)體器件全部范圍，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、變頻、工業(yè)控制、消費(fèi)類電子等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域。

公司各項(xiàng)管理體系完善，率先通過了ISO9001和IATF16949質(zhì)量管理體系、ISO14001環(huán)境管理體系、ISO45001職業(yè)健康安全管理體系、QC080000有害物質(zhì)過程管理體系及信息化和工業(yè)化融合管理體系、知識產(chǎn)權(quán)管理體系、能源管理體系等各項(xiàng)認(rèn)證，是松下、日立、海信、創(chuàng)維、長虹等國內(nèi)外知名企業(yè)的配套供應(yīng)商。華微電子現(xiàn)已成為中國知名的功率半導(dǎo)體器件制造基地，為深入擴(kuò)大并增強(qiáng)市場服務(wù)能力，公司進(jìn)行了產(chǎn)業(yè)調(diào)整，實(shí)現(xiàn)跨區(qū)域布局，進(jìn)一步增強(qiáng)市場競爭能力。

華微電子將以誠信共贏為原則，以持續(xù)創(chuàng)新為制勝之本，進(jìn)一步加快中高端產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)程，不斷加大具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新產(chǎn)品生產(chǎn)規(guī)模，在公司內(nèi)部運(yùn)營中持續(xù)強(qiáng)化精益管理，不斷提升運(yùn)營效率，加快由功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)基地向研發(fā)、生產(chǎn)基地轉(zhuǎn)型的步伐，著力將企業(yè)打造成讓“政府放心、投資者開心、員工舒心、社會滿意”的優(yōu)質(zhì)上市公司。

華微電子以技術(shù)為先導(dǎo)，緊隨市場需求變化，通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新、結(jié)構(gòu)調(diào)整、創(chuàng)新孵化模式建設(shè)打造半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。公司八英寸新型電力電子器件基地將全面升級公司的技術(shù)與產(chǎn)品，深入開拓對經(jīng)濟(jì)長遠(yuǎn)發(fā)展具有帶動作用的戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域，推動公司產(chǎn)品快速深入高端領(lǐng)域。華微電子將持續(xù)快速拓展，帶動上下游產(chǎn)業(yè)、地區(qū)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿與時代發(fā)展，樹立中國功率半導(dǎo)體的民族品牌，打造世界級的功率半導(dǎo)體企業(yè)。

功率半導(dǎo)體器件及IC，目前已形成以IPM和PM模塊、寬禁帶半導(dǎo)體、IGBT、MOS、FRD、SBD、SCR及 BJT等，