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IRF6618TR1中文資料
IRF6618TR1數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
Description
The IRF6609 combines the latest HEXFET? Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80.
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Ideal Synchronous Rectifier MOSFET
? Low Profile (<0.7 mm)
? Dual Sided Cooling Compatible
? Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRF6618TR1產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IRF6618TR1
- 功能描述
MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
650 V
- 閘/源擊穿電壓
25 V
- 漏極連續(xù)電流
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安裝風(fēng)格
Through Hole
- 封裝/箱體
Max247
- 封裝
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
|||
IRF6618TR1 |
1000 |
1000 |
|||||
IR |
2019+ |
QFN |
60000 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
|||
IR |
24+ |
DIRCTFET |
4000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
|||
INFINEON/IR |
07+ |
2000 |
DirectFET MT |
||||
IR |
2013+ |
QFN |
15800 |
授權(quán)分銷IR系列場效應(yīng)管，大量現(xiàn)貨供應(yīng)IRF6617TRPBF，正品原裝，品質(zhì)保證。 |
|||
IOR |
04+ |
晶震 |
2145 |
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢 |
|||
IR |
24+ |
5650SMD |
7200 |
新進(jìn)庫存/原裝 |
|||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
975 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
原廠 |
23+ |
SOT23-5 |
9000 |
原裝正品,假一罰十 |
IRF6618TR1 價(jià)格
參考價(jià)格：￥6.5000
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IRF6618TR1 芯片相關(guān)型號
- EL5244CYZ-T7
- EL5246CSZ-T13
- EL5246CYZ-T7
- IDT2309-1DC
- IDT2309-1HDCI
- IDT7008L35G
- IDT7008S25G
- IDT7008S35J
- IDT70V27L20BF
- IDT70V27L55PF
- IDT71T75602S133BG
- IDT71T75602S150BG
- IDT71T75602S225PF
- IDT71T75802S200PF
- IDT71T75802S225BG
- IDT71T75802S225PF
- IDT71V016S20PHI
- IDT71V546S100PF
- IDT71V546S117PFI
- ILC7081
- ILC7081AIM5
- IRFU1N60A
- IRU3048CS
- IS202
- ISD5100
- TMX320C6201GLS100
- TMX320C6701GLW100
- TPS3106E12DVBR
- TPS3110H09DVBR
- XC6204C20AML
IRF相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
International Rectifier
中文資料: 32180條
International Rectifier Corporation（簡稱IRF）是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體制造商，成立于1947年，總部位于美國加利福尼亞州。IRF專注于開發(fā)和提供高效能的功率管理解決方案，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天、通信和計(jì)算等多個領(lǐng)域。公司以其功率MOSFET聞名，提供多種類型的整流二極管，包括肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，同時(shí)還開發(fā)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和電源管理IC。IRF在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)積累為其贏得了良好的聲譽(yù)，并于2014年被英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收購，這一收購旨在增強(qiáng)英飛凌在
