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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IXTT96N15P

N-ChannelEnhancementModePreliminaryDataSheet

文件：583.22 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=96A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

PolarHTHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220

文件：118.11 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

PolarHTHiPerFETPowerMOSFET

文件：324.46 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

PolarHTHiPerFETPowerMOSFET

文件：324.46 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTT96N15P產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXTT96N15P

  • 功能描述

    MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-7-19 17:43:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
IXYS
1822+
TO-251
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
IXYS/艾賽斯
22+
TO268
161444
原裝正品現(xiàn)貨,可開13個點稅
Littelfuse/IXYS
24+
TO-268
7814
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
IXYS/艾賽斯
23+
NA
12730
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
IXYS
24+
TO-268
8866
IXYS/艾賽斯
22+
TO-268
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
IXYS
23+
TO268
8000
只做原裝現(xiàn)貨
IXYS
23+
TO268
7000
IXYS
TO-251
825
原裝正品

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