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BUV48A中文資料
BUV48A數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書PDF詳情
POWER TRANSISTORS
Transistors for high-speed switching at high voltage
BUV48A產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào)
BUV48A
- 功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN High Volt Power
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶體管極性
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安裝風(fēng)格
SMD/SMT
- 封裝/箱體
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
TO-247 |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
|||
STM |
21+ |
600 |
TO-247-3 |
||||
STM |
23+ |
TO-247-3 |
600 |
原裝現(xiàn)貨支持送檢 |
|||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
|||
ST |
25+ |
TO3P |
6500 |
十七年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費(fèi)送 |
|||
ST |
13+ |
TP3P |
10000 |
||||
PH |
24+ |
TO-3P |
5 |
||||
STM |
24+ |
原廠封裝 |
4000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
|||
MOTOROLA |
23+ |
CAN |
1741 |
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 |
|||
STM |
24+ |
TO-247 |
5645 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存! |
BUV48A 價(jià)格
參考價(jià)格：￥10.1629
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BUV48A 芯片相關(guān)型號(hào)
- 3333DN103M6
- 3333LX103M6
- 5082-A903-OF000
- 5082-A907-NF000
- AFL27005SY/HB
- AFL27009DX/HB
- AFL2805SX/HB
- B71N4H07T
- B71N4H10T
- BUV48
- BUW12A
- C124G102B2CH5CA
- CCF556K98FKE36
- HD6412350TE
- HDSP-B02G-LL000
- HDSP-B05G-LL000
- HDSP-B06G-KL000
- HDSP-B07G-KL000
- IL261-3B
- IN80C188-25
- ISL24006IRZ-T13
- ISL43L120IUZ-T
- ISL59112IEZ-T7
- ISL59441IAZ-T7
- ISL83076E
- ISL83387EIV-T
- JANSMXSMCJLCE150TR
- JANTXMSPSMCJLCE150TR
- KT872T55
- SB80C188-20
ANALOGICTECH相關(guān)芯片制造商
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
Advanced Analogic Technologies 香港研諾邏輯科技有限公司
中文資料: 4234條
研諾科技(AnalogicTech)成立于1997年，總部位于美國(guó)硅谷，在全球化的的半導(dǎo)體廠商中屬于非常年輕的企業(yè)。2006年美國(guó)研諾科技以 2200萬美元高價(jià)收購(gòu)上海崇芯微電子，在國(guó)內(nèi)IC業(yè)界引發(fā)了不小的轟動(dòng)，雖然其在全球化半導(dǎo)體巨頭的光芒下其沒有多大的名氣，但是在LED驅(qū)動(dòng)IC領(lǐng) 域，其產(chǎn)品得到了廣泛的應(yīng)用于手機(jī)等便攜設(shè)備的背光領(lǐng)域，近年來也加大在高亮度LED引用領(lǐng)域的產(chǎn)品研發(fā)。諾言科技的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于采取進(jìn)一步的集成措施， 開發(fā)出了能夠充分利用空間的多芯片封裝，以更小的尺寸滿足了更復(fù)雜的電源管理的需求。這種獨(dú)特的技術(shù)組合提高了效率、縮短了反應(yīng)時(shí)間、降低了功耗、減小了 可生成熱量的電阻，并且
